2N5179分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
2N5179 |
參數(shù)屬性 | 2N5179 封裝/外殼為TO-206AF,TO-72-4 金屬罐;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72 |
功能描述 | General Purpose Diodes |
文件大小 |
127.97 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
1 頁 |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-22 22:38:00 |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
2N5179三極管、2N5179晶體管、2N5179晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
甚高頻 (VHF)_超高頻/特高頻 (UHF)_低噪放大 (
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
20V
- 最大電流允許值:
0.05A
- 最大工作頻率:
1.4GHZ
- 引腳數(shù):
4
- 可代換的型號:
BF357,BF377,BF378,BF689,BF763,BFR15,BFT17,BFT66,BFT67,BFW99,2N2857,2N5053,2N5054,3DG82A,
- 最大耗散功率:
0.2W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
D-13
- vtest:
20
- htest:
1400000000
- atest:
0.05
- wtest:
0.2
2N5179規(guī)格書詳情
General Purpose Diodes
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
2N5179
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
12V
- 頻率 - 躍遷:
200MHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
4.5dB @ 200MHz
- 增益:
20dB
- 功率 - 最大值:
300mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
25 @ 3mA,1V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
50mA
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-206AF,TO-72-4 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-72
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
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30000 |
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