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2N5197中文資料InterFET數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
2N5197 |
功能描述 | N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor |
文件大小 |
418.22 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
1 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | InterFET Corporation |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
InterFET |
中文名稱 | InterFET Corporation官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-18 17:44:00 |
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2N5197規(guī)格書詳情
? Differencial Inputs
Absolute maximum ratings at TA = 25°C
Reverse Gate Source & Gate Drain Voltage -50V
Continuous Forward Gate Current 50 mA
Continuous Device Power Dissipation 300 mW
Power Derating 2.6 mW/°C
Storage Temperature Range -65°C to +150°C
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
2N5197
- 功能描述:
JFET 50V 15pA
- RoHS:
否
- 制造商:
ON Semiconductor
- 晶體管極性:
N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的
- Idss):
50 mA 漏源電壓
- VDS:
15 V
- 漏極連續(xù)電流:
50 mA
- 封裝/箱體:
SC-59
- 封裝:
Reel
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
24+ |
CAN6 |
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MOT |
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Vishay |
23+ |
TO-71 |
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