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2N5306A中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2N5306A
廠商型號(hào)

2N5306A
功能描述

Silicon Darlington Transistors
文件大小

70.69 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-13 22:59:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2N5306A

  • 別名：

    2N5306A三極管、2N5306A晶體管、2N5306A晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_前置放大 （V）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    25V

  • 最大電流允許值：

    0.3A

  • 最大工作頻率：

    60MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

    0.4W

  • 放大倍數(shù)：

    β>7000

  • 圖片代號(hào)：

    A-20

  • vtest：

    25

  • htest：

    60000000

  • atest：

    0.3

  • wtest：

    0.4

2N5306A規(guī)格書(shū)詳情

Silicon Darlington Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    2N5306A

  • 制造商：

    GESS

  • 制造商全稱：

    GESS

  • 功能描述：

    SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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