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2N5329分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N5329
廠商型號

2N5329

參數(shù)屬性

2N5329 封裝/外殼為TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接線柱;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

NPN POWER TRANSISTORS

封裝外殼

TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接線柱

文件大小

179.66 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-24 20:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N5329

  • 別名:

    2N5329三極管、2N5329晶體管、2N5329晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    特殊封裝

  • 極限工作電壓:

    150V

  • 最大電流允許值:

    20A

  • 最大工作頻率:

    >80MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    3DK10AE,

  • 最大耗散功率:

    65W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    F-28

  • vtest:

    150

  • htest:

    80000100

  • atest:

    20

  • wtest:

    65

2N5329規(guī)格書詳情

GEOMETRY 511

● IC to 30 Amp

● Fast Switching

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N5329

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.8V @ 2mA, 10mA

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    接線柱安裝

  • 封裝/外殼:

    TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接線柱

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-61

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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