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2N5401

Amplifier Transistor(PNP Silicon)

PNPSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

2N5401

PNP high-voltage transistor

DESCRIPTION PNPhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPNcomplement:2N5551. FEATURES ?Lowcurrent(max.300mA) ?Highvoltage(max.150V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Telephonyapplications.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

2N5401

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

AMPLIFIERTRANSISTOR ●Collector-EmitterVoltage:VCEO=150V ●CollectorDissipation:Pc(max)=625mW

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

2N5401

PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications???

PNPSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications

SEMTECH

Semtech Corporation

2N5401

PNP General Purpose Amplifier

PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitchforapplicationsrequiringhighvoltages.SourcedfromProcess74.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

2N5401

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES ?HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=-160V,VCEO=-150V ?LowLeakageCurrent. :ICBO=-50nA(Max.)@VCB=-120V ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.5V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA ?LowNoise:NF=8dB(Max.)

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

2N5401

COMPLEMENTARY SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

2N5400,2N5401-->PNP 2N5550,2N5551-->NPN

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

2N5401

PNP Silicon Transistor (General purpose amplifier High voltage application)

Description ?Generalpurposeamplifier ?Highvoltageapplication Features ?Highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=-160V,VCEO=-150V ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(MAX.) ?Complementarypairwith2N5551

AUK

AUK corp

2N5401

Amplifier Transistors

AmplifierTransistors PNPSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable*

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N5401

Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued)

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N5401

PNP Transistors

PNPTransistors

WEITRON

Weitron Technology

2N5401

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES *Collector-emittervoltage:VCEO=-150V *Highcurrentgain

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2N5401

Plastic-Encapsulated Transistors

TO-92Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURE Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2N5401

General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors

?Powerdissipation625mW ?PlasticcaseTO-92 ?Weightapprox.0.18g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedinammopack

Diotec

Diotec Semiconductor

2N5401

PNP Transistor Plastic-Encapsulate Transi stors

PNPTransistorPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES PowerDissipation PCM:0.625W(Tamb=25) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2N5401

PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW

Features ?HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF ?MoistureSensitivityLevel1 ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInformation)

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2N5401

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURE Switchingandamplificationinhighvoltage Applicationssuchastelephony Lowcurrent(max.600mA) Highvoltage(max.160v)

DAYADaya Electric Group Co., Ltd.

大亞電器集團大亞電器集團有限公司

2N5401

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description Designedforgeneralpurposeamplifierapplications.

DCCOM

Dc Components

2N5401

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●SwitchingandAmplificationinHighVoltage ●ApplicationssuchasTelephony ●LowCurrent ●HighVoltage

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2N5401

AMPLIFIER TRANSISTOR

PNPSilicon

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2N5401

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    通用型 （Uni）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    160V

  • 最大電流允許值：

    0.6A

  • 最大工作頻率：

    >100MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BF491,BF492,BF493,2SA1221,2SA1222,2SA1319,3CA3F,

  • 最大耗散功率：

    0.625W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    A-31

  • vtest：

    160

  • htest：

    100000100

  • atest：

    0.6

  • wtest：

    0.625

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2N5401

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 10mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    300MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-226-3，TO-92-3 長體

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-92（TO-226）

  • 描述：

    TRANS PNP 150V 0.6A TO92

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
2015+
200
公司現(xiàn)貨庫存
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2015+
200
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2021+
TO-92
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更多2N5401供應(yīng)商 更新時間2024-12-22 16:20:00

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