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2N5416分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N5416
廠商型號

2N5416

參數屬性

2N5416 封裝/外殼為TO-205AD,TO-39-3 金屬罐;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 300V 1A TO39

功能描述

PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR

封裝外殼

TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

文件大小

67.52 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-3 21:19:00

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晶體管資料

  • 型號:

    2N5416

  • 別名:

    2N5416三極管、2N5416晶體管、2N5416晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質:

    開關管 (S)_視頻輸出 (Vid)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    350V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    >50MHZ

  • 引腳數:

    3

  • 可代換的型號:

    BFT19,M5416,3CA3F,

  • 最大耗散功率:

    10W

  • 放大倍數:

  • 圖片代號:

    C-62

  • vtest:

    350

  • htest:

    50000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    10

2N5416規(guī)格書詳情

PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/485

產品屬性

  • 產品編號:

    2N5416

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 50mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    15MHz

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AD,TO-39-3 金屬罐

  • 供應商器件封裝:

    TO-39

  • 描述:

    TRANS PNP 300V 1A TO39

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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