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2N5530中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N5530
廠商型號

2N5530

功能描述

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

文件大小

87.88 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-20 16:56:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N5530

  • 別名:

    2N5530三極管、2N5530晶體管、2N5530晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    RADH

  • 封裝形式:

    特殊封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    >200MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    35W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    F-28

  • vtest:

    60

  • htest:

    200000100

  • atest:

    10

  • wtest:

    35

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2N5530

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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