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2N5550RLRPG分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N5550RLRPG
廠商型號

2N5550RLRPG

參數(shù)屬性

2N5550RLRPG 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線);包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO92

功能描述

Amplifier Transistors NPN Silicon
TRANS NPN 140V 0.6A TO92

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線)

文件大小

88.88 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數(shù)據手冊

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更新時間

2025-1-9 23:00:00

2N5550RLRPG規(guī)格書詳情

2N5550RLRPG屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的2N5550RLRPG晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    2N5550RLRPG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 10mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    300MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線)

  • 供應商器件封裝:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 140V 0.6A TO92

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
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TO923
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