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2N5622分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N5622
廠商型號

2N5622

參數(shù)屬性

2N5622 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

Silicon NPN Power Transistors

文件大小

70.55 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-12-27 22:59:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N5622

  • 別名:

    2N5622三極管、2N5622晶體管、2N5622晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    >40MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BD245A,BD249A,2SC2681,2SC2706,2SC2837,2SSC2987,3DA74B,

  • 最大耗散功率:

    100W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    80

  • htest:

    40000100

  • atest:

    10

  • wtest:

    100

2N5622規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? DC Current Gain- : hFE= 70-200@IC= 5A

? Wide Area of Safe Operation

? Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 60V(Min)

? Complement to Type 2N5621

APPLICATIONS

? Designed for use in high frequency power amplifiers, audio power amplifier and drivers.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N5622

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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