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2N5660分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N5660
廠商型號(hào)

2N5660

參數(shù)屬性

2N5660 封裝/外殼為TO-213AA,TO-66-2;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 200V 2A TO66

功能描述

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

文件大小

63.27 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-23 20:18:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N5660

  • 別名:

    2N5660三極管、2N5660晶體管、2N5660晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)_低頻或音頻放大 (LF

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    250V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    >20MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    BUW40(A),BUW40(B),BUY63,TIP47,TIP48,TIP49,TIP50,2N3583,2N3738,2N3739,2N4240,3DK205E,

  • 最大耗散功率:

    35W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    E-8

  • vtest:

    250

  • htest:

    20000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    35

2N5660規(guī)格書詳情

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/454

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N5660

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    800mV @ 400mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    200nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 500mA,5V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    TRANS NPN 200V 2A TO66

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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