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2N5666分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N5666
廠商型號

2N5666

參數(shù)屬性

2N5666 封裝/外殼為TO-205AA,TO-5-3 金屬罐;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 200V 5A TO5

功能描述

SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS

封裝外殼

TO-205AA,TO-5-3 金屬罐

文件大小

73.08 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 17:02:00

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晶體管資料

  • 型號:

    2N5666

  • 別名:

    2N5666三極管、2N5666晶體管、2N5666晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    250V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    >20MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BUX51,BUX52,BUX53,BUX54,BUX61,BUY61,2SD625,3DK205E,

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    C-62

  • vtest:

    250

  • htest:

    20000100

  • atest:

    3

  • wtest:

    15

2N5666規(guī)格書詳情

SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N5666

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 1A,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    200nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 1A,5V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-205AA,TO-5-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-5

  • 描述:

    TRANS NPN 200V 5A TO5

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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