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2N5686G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N5686G
廠商型號(hào)

2N5686G

參數(shù)屬性

2N5686G 封裝/外殼為TO-204AE;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 50A TO204

功能描述

High-Current Complementary Silicon Power Transistors
TRANS NPN 80V 50A TO204

封裝外殼

TO-204AE

文件大小

119.82 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-15 23:00:00

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2N5686G規(guī)格書詳情

2N5686G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的2N5686G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

These packages are designed for use in high-power amplifier and switching circuit applications.

Features

? High Current Capability - IC Continuous = 50 Amperes

? DC Current Gain - hFE = 15-60 @ IC = 25 Adc

? Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 25 Adc

? Pb-Free Packages are Available*

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N5686G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    5V @ 10A,50A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 25A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    2MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AE

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 50A TO204

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
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TO-204
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ON/安森美
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