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2N5810中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N5810
廠商型號(hào)

2N5810

功能描述

SI NPN LO-PWR BJT

文件大小

79.24 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 11:10:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N5810

  • 別名:

    2N5810三極管、2N5810晶體管、2N5810晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_TR

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    35V

  • 最大電流允許值:

    0.75A

  • 最大工作頻率:

    >100MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BC337,BC338,BC378,BC635,BC637,BC639,BC738,3DK40A,

  • 最大耗散功率:

    0.5W

  • 放大倍數(shù):

    β>60

  • 圖片代號(hào):

    A-23

  • vtest:

    35

  • htest:

    100000100

  • atest:

    0.75

  • wtest:

    0.5

2N5810規(guī)格書詳情

SERIES 2N TRANSISTORS

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2N5810

  • 制造商:

    MICRO-ELECTRONICS

  • 制造商全稱:

    Micro Electronics

  • 功能描述:

    COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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