零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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2N5819 | COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR COMPLEMENTARYSILICONAFMEDIUMPOWERTRANSISTOR | MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics | MICRO-ELECTRONICS | |
2N5819 | BJTS, SI PNP LO-PWR COMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS TO-92-18RCASE | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N5819 | COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS TO-92-18RCASE | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_TR
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
50V
- 最大電流允許值:
0.75A
- 最大工作頻率:
>135MHZ
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號:
BC297,BC327,BC636,BC638,BC640,BC727,3CK10E,
- 最大耗散功率:
0.5W
- 放大倍數(shù):
β>150
- 圖片代號:
A-23
- vtest:
50
- htest:
135000100
- atest:
0.75
- wtest:
0.5
詳細參數(shù)
- 型號:
2N5819
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT PNP Med Power
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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