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2N5819

COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR

COMPLEMENTARYSILICONAFMEDIUMPOWERTRANSISTOR

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

2N5819

BJTS, SI PNP LO-PWR

COMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS TO-92-18RCASE

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N5819

COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

COMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS TO-92-18RCASE

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2N5819

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_TR

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.75A

  • 最大工作頻率:

    >135MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BC297,BC327,BC636,BC638,BC640,BC727,3CK10E,

  • 最大耗散功率:

    0.5W

  • 放大倍數(shù):

    β>150

  • 圖片代號:

    A-23

  • vtest:

    50

  • htest:

    135000100

  • atest:

    0.75

  • wtest:

    0.5

詳細參數(shù)

  • 型號:

    2N5819

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT PNP Med Power

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多2N5819供應(yīng)商 更新時間2024-12-23 17:13:00