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2N5840分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N5840
廠商型號

2N5840
參數(shù)屬性

2N5840 包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：NPN TRANSISTOR
功能描述

Silicon NPN Power Transistor
文件大小

140.8 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-27 22:30:00

晶體管資料

  • 型號：

    2N5840

  • 別名：

    2N5840三極管、2N5840晶體管、2N5840晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    375V

  • 最大電流允許值：

    3A

  • 最大工作頻率：

    >5MHZ

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    BU606,BU607,BU608,BUW71,BUX16B,BUX16C,3DK306A,

  • 最大耗散功率：

    100W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    375

  • htest：

    5000100

  • atest：

    3

  • wtest：

    100

2N5840規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 350V(Min)

? Low Collector Saturation Voltage

? Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

? Designed for use in inverters, deflection circuits, switching regulators, high-voltage bridged amplifiers, ignition circuits and other high-voltage switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2N5840

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 描述：

    NPN TRANSISTOR

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