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2N5879分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N5879
廠商型號

2N5879

參數(shù)屬性

2N5879 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

功能描述

POWER TRANSISTORS(15A,160W)

文件大小

180.43 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Mospec Semiconductor
企業(yè)簡稱

MOSPEC統(tǒng)懋

中文名稱

統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 14:30:00

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晶體管資料

  • 型號:

    2N5879

  • 別名:

    2N5879三極管、2N5879晶體管、2N5879晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    15A

  • 最大工作頻率:

    >4MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BD316,BD746A,BDW52A,2N4398,2N5683,2N6029,2N6030,2N6031,3CK015C,

  • 最大耗散功率:

    160W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    4000100

  • atest:

    15

  • wtest:

    160

2N5879規(guī)格書詳情

General-Purpose Power Amplifier and Switching Applications

FEATURES:

* Low Collector-Emitter Saturation Voltage -

VCE(SAT) = 1.0V(Max.) @ IC = 7.0A

* Execllent DC Current Gain -

hFE = 10 ~ 100 @ IC = 6.0 A

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N5879

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MOT
24+
TO-3
10000
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專業(yè)鐵帽
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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2023+
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一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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