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2N5930中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N5930
廠商型號

2N5930

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistors

文件大小

142 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-12 16:30:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N5930

  • 別名:

    2N5930三極管、2N5930晶體管、2N5930晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)_]

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    130V

  • 最大電流允許值:

    30A

  • 最大工作頻率:

    >30MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BDW30,BDY58,2N5672,3DK108E,

  • 最大耗散功率:

    175W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    130

  • htest:

    30000100

  • atest:

    30

  • wtest:

    175

2N5930規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 10A

? Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 15A

APPLICATIONS

? Designed for general purpose power amplifier and switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2N5930

  • 制造商:

    SEME-LAB

  • 制造商全稱:

    Seme LAB

  • 功能描述:

    Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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