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2N5930中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N5930
廠商型號(hào)

2N5930
功能描述

Silicon NPN Power Transistors
文件大小

130.63 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-15 16:30:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2N5930

  • 別名：

    2N5930三極管、2N5930晶體管、2N5930晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L）_]

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    130V

  • 最大電流允許值：

    30A

  • 最大工作頻率：

    >30MHZ

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號(hào)：

    BDW30,BDY58,2N5672,3DK108E,

  • 最大耗散功率：

    175W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    E-44

  • vtest：

    130

  • htest：

    30000100

  • atest：

    30

  • wtest：

    175

2N5930規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? DC Current Gain- : hFE= 20-100@IC= 10A

? Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 15A

APPLICATIONS

? Designed for general purpose power amplifier and switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    2N5930

  • 制造商：

    SEME-LAB

  • 制造商全稱：

    Seme LAB

  • 功能描述：

    Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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