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2N5932

isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=10A ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=20A APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2N5932

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=10A ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=20A APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N5932

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

晶體管資料

  • 型號:

    2N5932

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)_]

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    70V

  • 最大電流允許值:

    30A

  • 最大工作頻率:

    >30MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BDW30,BDY29,BDY58,MJ802,2N6249,2N6259,2N6322,2SD797,3DK108C,

  • 最大耗散功率:

    175W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    70

  • htest:

    30000100

  • atest:

    30

  • wtest:

    175

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    2N5932

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3VAR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多2N5932供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-24 16:30:00