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2N5955分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N5955
廠商型號(hào)

2N5955

參數(shù)屬性

2N5955 封裝/外殼為TO-213AA,TO-66-2;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 60V 6A TO66

功能描述

SI PNP POWER BJT

封裝外殼

TO-213AA,TO-66-2

文件大小

94.72 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 17:24:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N5955

  • 別名:

    2N5955三極管、2N5955晶體管、2N5955晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    70V

  • 最大電流允許值:

    6A

  • 最大工作頻率:

    >5MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    BD244B,BD544B,BD600,BD610,BD800,2N6318,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    E-8

  • vtest:

    70

  • htest:

    5000100

  • atest:

    6

  • wtest:

    40

2N5955規(guī)格書詳情

Silicon N-P-N AND P-N-P Medium-Power Transistor

General-Purpose Types for Switching Applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N5955

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 6A TO66

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
RCA
21+
TO-3
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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