2N6029分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2N6029 |
| 參數(shù)屬性 | 2N6029 封裝/外殼為TO-204AA，TO-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | Silicon PNP Power Transistors |
| 文件大小 |
131.64 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
| 中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-25 19:38:00 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
2N6029三極管、2N6029晶體管、2N6029晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
16A
- 最大工作頻率：
>1MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BD318,2N6377,2N6609,2SA1117,
- 最大耗散功率：
200W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
100
- htest：
1000100
- atest：
16
- wtest：
200
2N6029規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
? With TO-3 package
? Complement to type 2N5629 2N5630
? High power dissipations
APPLICATIONS
? For high voltage and high power amplifier applications
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N6029
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-204AA，TO-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-204AD（TO-3）
- 描述：
POWER BJT
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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