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2N6030分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2N6030
廠商型號(hào)

2N6030

參數(shù)屬性

2N6030 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

封裝外殼

TO-204AA,TO-3

文件大小

67.09 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Central Semiconductor Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Central

中文名稱

美國(guó)中央半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-4 17:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N6030

  • 別名:

    2N6030三極管、2N6030晶體管、2N6030晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開(kāi)關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    120V

  • 最大電流允許值:

    16A

  • 最大工作頻率:

    >1MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    MJ15016,2N6378,2N6609,2SA1117,

  • 最大耗散功率:

    200W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    E-44

  • vtest:

    120

  • htest:

    1000100

  • atest:

    16

  • wtest:

    200

2N6030規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5629, 2N6029 series devices are complementary silicon power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for high voltage and high power amplifier applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N6030

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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