2N6050分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
2N6050 |
| 參數(shù)屬性 | 2N6050 封裝/外殼為TO-204AA，TO-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS |
| 封裝外殼 | TO-204AA，TO-3 |
| 文件大小 |
90.89 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-25 23:00:00 |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
2N6050三極管、2N6050晶體管、2N6050晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
12A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
BDV66,BDW84A,BDX64,BDX66,BDX88A,MJ4030,TIP645,
- 最大耗散功率：
150W
- 放大倍數(shù)：
β>750
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
150
2N6050規(guī)格書詳情
DARLINGTON 12 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 150 WATTS
...designed lor general-purpose power amplifier and low frequency switching applications
FEATURES:
* Monolithic Construction with Butt-in Base-Emitter Shunt Resistors.
* High DC Current Gain -
hFE = 3500(typ)@ Ic=5.0 A
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N6050
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
2V @ 24mA， 6A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-204AA，TO-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-204AA（TO-3）
- 描述：
POWER BJT
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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