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2N6053分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N6053
廠商型號(hào)

2N6053

參數(shù)屬性

2N6053 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

POWER TRANSISTORS(8A,100W)

文件大小

172.45 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Mospec Semiconductor
企業(yè)簡稱

MOSPEC統(tǒng)懋

中文名稱

統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-25 22:50:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N6053

  • 別名:

    2N6053三極管、2N6053晶體管、2N6053晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    BDV64,BDX62,BDX64,MJ900,TIP145,

  • 最大耗散功率:

    100W

  • 放大倍數(shù):

    β>750

  • 圖片代號(hào):

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    100

2N6053規(guī)格書詳情

2N6053,2N6054 -> PNP

2N6055,2N6056 -> NPN

DARLINGTOPN 8 AMPERE COMPLEMEMTARY SILICON TRANSISTORS 60 - 80 Volts 100 Watts

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N6053

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON
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二極管
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