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2N6083

NPN SILICON RF POWER TRANSISTORS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6084

RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130... 230 MHZ FM MODULE APPLICATIONS

DESCRIPTION ThislineofepitaxialsiliconNPN-planartransistorisdesignedprimarilyforVHFmobileandmarinetransmitters.Thedeviceutilizesemitterballastingresistorsruggendnessundersevereoperatingconditions.

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N6084

silicon transistors UHF/VHF power transistors

silicontransistorsUHF/VHFpowertransistors NPNtype germaniumtransistors diffused-baseMESAtransistors ultra-high-speedswitching

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2N6085

SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS

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SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS

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SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS

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SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS

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SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS

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晶體管資料

  • 型號:

    2N6080

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    甚高頻 (VHF)_TR_輸出極 (E)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    36V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    175MHZ

  • 引腳數(shù):

    4

  • 可代換的型號:

    BLW18,BLW23,BLW37,BLY62,BLY83,BLY85,3DA200A,

  • 最大耗散功率:

    4W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    G-127

  • vtest:

    36

  • htest:

    175000000

  • atest:

    1

  • wtest:

    4

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更多2N608供應(yīng)商 更新時間2025-4-12 10:30:00