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2N6100中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N6100
廠商型號

2N6100

功能描述

SILICON N-P-N VERSAWATT TRANSISTORS

文件大小

248.63 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-15 23:03:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N6100

  • 別名:

    2N6100三極管、2N6100晶體管、2N6100晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    >0.8MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD609,BD709,BD743B,BD809,BD909,BDX72,3DD65D,

  • 最大耗散功率:

    75W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-11

  • vtest:

    80

  • htest:

    800100

  • atest:

    10

  • wtest:

    75

2N6100規(guī)格書詳情

High-Current, Silicon N-P-N VERSAWATT Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2N6100

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全稱:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    Silicon NPN Power Transistors

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