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2N6126中文資料Central數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N6126
廠商型號

2N6126

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR

文件大小

71.78 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 Central Semiconductor Corp
企業(yè)簡稱

Central

中文名稱

美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-25 13:52:00

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晶體管資料

  • 型號:

    2N6126

  • 別名:

    2N6126三極管、2N6126晶體管、2N6126晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    4A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD244B,BD538,BD540B,BD600,BD610,BD952,CD50B,

  • 最大耗散功率:

    2.5W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    2.5001

2N6126規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2N6126

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT PNP Med Power

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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