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2N6180

P-N-P SILICON POWER TRANSISTOR

P-N-PSiliconPowerTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6182

10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6183

10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6184

10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6185

10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6186

10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6187

10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6188

5 AMP HIGH SPEED PNP TRANSISTOR 100 VOLTS

SSDI

Solid States Devices, Inc

2N6188

10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6189

5 AMP HIGH SPEED PNP TRANSISTOR 100 VOLTS

SSDI

Solid States Devices, Inc

2N6189

10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6183

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-210AA,TO-59-4,接線柱 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N6184

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-210AA,TO-59-4,接線柱 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N6185

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-210AA,TO-59-4,接線柱 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N6182

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    開(kāi)關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    特殊封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    >30MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BLX52,2N5290,2N5291,2N6186,2N6187,3CK015D,

  • 最大耗散功率:

    60W

  • 放大倍數(shù):

    β>30

  • 圖片代號(hào):

    F-28

  • vtest:

    80

  • htest:

    30000100

  • atest:

    10

  • wtest:

    60

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N6182

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    700mV @ 200μA, 2mA

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    接線柱安裝

  • 封裝/外殼:

    TO-210AA,TO-59-4,接線柱

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-59

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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