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2N6248中文資料ETC數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N6248
廠商型號

2N6248

參數(shù)屬性

2N6248 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個;產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

SILICON PNP EPITAXIAL BASE HIGH POWER TRANSISTORS

文件大小

359.27 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 List of Unclassifed Manufacturers
企業(yè)簡稱

ETC

中文名稱

未分類制造商

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-15 18:07:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N6248

  • 別名:

    2N6248三極管、2N6248晶體管、2N6248晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    110V

  • 最大電流允許值:

    15A

  • 最大工作頻率:

    >6MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BD318,BD546D,MJ2955,2N6030,2N6031,2N6230,2N6378,3CK108D,

  • 最大耗散功率:

    125W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    110

  • htest:

    6000100

  • atest:

    15

  • wtest:

    125

2N6248規(guī)格書詳情

[GE SOLID STATE]

SILICON PNP EPITAXIAL BASE HIGH POWER TRANSISTORS

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6248

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.3V @ 500μA, 5mA

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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