2N6290分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
2N6290 |
參數(shù)屬性 | 2N6290 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 50V 7A TO220-3 |
功能描述 | NPN SILICON TRANSISTOR |
文件大小 |
71.78 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
1 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Central Semiconductor Corp |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Central |
中文名稱 | 美國(guó)中央半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-11-15 23:00:00 |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
2N6290三極管、2N6290晶體管、2N6290晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
60V
- 最大電流允許值:
7A
- 最大工作頻率:
>4MHZ
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號(hào):
BD243A,BD543A,BD597,BD607,BD797,BD807,3DD62C,
- 最大耗散功率:
40W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號(hào):
B-10
- vtest:
60
- htest:
4000100
- atest:
7
- wtest:
40
2N6290規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites.
2N6290屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。美國(guó)中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的2N6290晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
2N6290 PBFREE
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
管件
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
3.5V @ 3A,7A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 2.5A,4V
- 頻率 - 躍遷:
4MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220-3
- 描述:
TRANS NPN 50V 7A TO220-3
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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