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2N6301分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N6301
廠商型號

2N6301

參數(shù)屬性

2N6301 封裝/外殼為TO-213AA,TO-66-2;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:PNP TRANSISTOR

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

封裝外殼

TO-213AA,TO-66-2

文件大小

245.45 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-20 23:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N6301

  • 別名:

    2N6301三極管、2N6301晶體管、2N6301晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BD269,BD647,BD699,BD899,BDW73B,BDX53B,FH7C,

  • 最大耗散功率:

    75W

  • 放大倍數(shù):

    β>750

  • 圖片代號:

    E-8

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    75

2N6301規(guī)格書詳情

DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

60-80 VOLTS 75, 100 WATTS

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6301

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 80mA,8A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 4A,3V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    PNP TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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