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2N6317分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2N6317
廠商型號(hào)

2N6317
參數(shù)屬性

2N6317 封裝/外殼為T(mén)O-213AA，TO-66-2；包裝為散裝；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANSISTOR
功能描述

Silicon PNP Power Transistors
封裝外殼

TO-213AA，TO-66-2
文件大小

131.39 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC【無(wú)錫固電】

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-30 16:00:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2N6317

  • 別名：

    2N6317三極管、2N6317晶體管、2N6317晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    7A

  • 最大工作頻率：

    >4MHZ

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號(hào)：

    BD544A,BD608,BD798,BD808,2N5954,2N5955,3CD8C,

  • 最大耗散功率：

    90W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    E-8

  • vtest：

    60

  • htest：

    4000100

  • atest：

    7

  • wtest：

    90

2N6317規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

? With TO-66 package

? Low collector saturation voltage

? Complement to type 2N6315/6316

APPLICATIONS

? Designed for general-purpose power amplifier and switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2N6317

  • 制造商：

    Central Semiconductor Corp

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2V @ 1.75A，7A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    35 @ 500mA，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    4MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-213AA，TO-66-2

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-66

  • 描述：

    TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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