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2N6372分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N6372
廠商型號

2N6372

參數(shù)屬性

2N6372 封裝/外殼為TO-213AA,TO-66-2;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 80V 6A TO66

功能描述

Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors

封裝外殼

TO-213AA,TO-66-2

文件大小

203.33 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-19 16:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N6372

  • 別名:

    2N6372三極管、2N6372晶體管、2N6372晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    90V

  • 最大電流允許值:

    6A

  • 最大工作頻率:

    >4MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BD243C,BD543C,BD601,BD609,BD801,2N5429,2N5430,2N6316,3DK03D,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-8

  • vtest:

    90

  • htest:

    4000100

  • atest:

    6

  • wtest:

    40

2N6372規(guī)格書詳情

Silicon N-P-N AND P-N-P Medium-Power Transistor

General-Purpose Types for Switching Applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6372

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 6A TO66

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
24+
TO-66
10000
全新
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