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2N6387_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N6387_V01
廠商型號(hào)

2N6387_V01

功能描述

Plastic Medium-Power Silicon Transistors

文件大小

128.21 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-7 23:00:00

2N6387_V01規(guī)格書詳情

These devices are designed for general?purpose amplifier and

low?speed switching applications.

Features

? High DC Current Gain ? hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc

? Collector?Emitter Sustaining Voltage ? @ 100 mAdc

VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) ? 2N6387

= 80 Vdc (Min) ? 2N6388

? Low Collector?Emitter Saturation Voltage ?

VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC

= 5.0 Adc ? 2N6387, 2N6388

? Monolithic Construction with Built?In Base?Emitter Shunt Resistors

? TO?220AB Compact Package

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant*

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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