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2N6436分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N6436
廠商型號

2N6436

參數(shù)屬性

2N6436 包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:PNP TRANSISTOR

功能描述

HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS

文件大小

86.43 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導體

中文名稱

新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-22 23:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N6436

  • 別名:

    2N6436三極管、2N6436晶體管、2N6436晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    25A

  • 最大工作頻率:

    >40MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    2N6377,2N6378,2N6379,

  • 最大耗散功率:

    200W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    100

  • htest:

    40000100

  • atest:

    25

  • wtest:

    200

2N6436規(guī)格書詳情

HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS

... designed for use in industrial power amplifiers and switching circuit applications.

FEATURES:

* High DC Current Gain hFE=20-80?lc=10A =12 (Min)?lc=25A

* Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCB(sat)= 1.0V (Max.) @ lc = 10 A, IB= 1.0A

* Complementto2N6338 thru 2N6340

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6436

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    PNP TRANSISTOR

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