2N6474分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
2N6474 |
參數(shù)屬性 | 2N6474 封裝/外殼為T(mén)O-220-3;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 120V 4A TO220-3 |
功能描述 | NPN SILICON TRANSISTOR |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
71.78 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
1 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Central Semiconductor Corp |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Central |
中文名稱(chēng) | 美國(guó)中央半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-10 18:32:00 |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
2N6474三極管、2N6474晶體管、2N6474晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_開(kāi)關(guān)管 (S)_功率放大 (L
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
130V
- 最大電流允許值:
4A
- 最大工作頻率:
>5MHZ
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號(hào):
2N6466,3DD60E,
- 最大耗散功率:
40W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號(hào):
B-10
- vtest:
130
- htest:
5000100
- atest:
4
- wtest:
40
2N6474規(guī)格書(shū)詳情
2N6474屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由美國(guó)中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的2N6474晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類(lèi)型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
DESCRIPTION
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites.
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
2N6474
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類(lèi)型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
2.5V @ 2A,4A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
15 @ 1.5A,4V
- 頻率 - 躍遷:
4MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220-3
- 描述:
TRANS NPN 120V 4A TO220-3
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
1738+ |
TO-220 |
8529 |
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