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2N6491分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2N6491
廠商型號(hào)

2N6491
參數(shù)屬性

2N6491 封裝/外殼為T(mén)O-220-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 80V 15A TO220
功能描述

POWER TRANSISTORS(15A,75W)
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

190.3 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Mospec Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MOSPEC【統(tǒng)懋】

中文名稱

統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-1-10 20:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2N6491

  • 別名：

    2N6491三極管、2N6491晶體管、2N6491晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    90V

  • 最大電流允許值：

    15A

  • 最大工作頻率：

    >5MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD610,BD710,BD744C,BD912,BDT86,3CA10F,

  • 最大耗散功率：

    75W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    B-10

  • vtest：

    90

  • htest：

    5000100

  • atest：

    15

  • wtest：

    75

2N6491規(guī)格書(shū)詳情

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching applications.

FEATURES:

? Collector–Emitter Sustaining Voltage —

VCEO(sus) = 40 V (Min) – 2N6486, 2N6489

= 60 V (Min) – 2N6487, 2N6490

= 80 V (Min) – 2N6488, 2N6491

? DC Current Gain Specified to 15 Amperes —

hFE = 20–150 @ IC = 5.0 A

= 5.0 (Min) @ IC = 15 A

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2N6491

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3.5V @ 5A，15A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 5A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    5MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS PNP 80V 15A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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