2N650分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-陣列規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2N650 |
| 參數(shù)屬性 | 2N650 封裝/外殼為TO-78-6 金屬罐；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-陣列；產(chǎn)品描述：TRANSISTOR DUAL TO78 |
| 功能描述 | GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS |
| 封裝外殼 | TO-78-6 金屬罐 |
| 文件大小 |
1.1394 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | American Microsemiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
AMMSEMI |
| 中文名稱 | American Microsemiconductor官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-24 18:26:00 |
| 人工找貨 | 2N650價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
2N650三極管、2N650晶體管、2N650晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
120V
- 最大電流允許值：
4A
- 最大工作頻率：
>60MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BDV10,BDV11,BDV12,BDX22,BUX77,2N3879,2N5202,2N6264,2SC2767,2SD772,3DK03E,
- 最大耗散功率：
35W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
120
- htest：
60000100
- atest：
4
- wtest：
35
2N650規(guī)格書詳情
GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS
GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N6502
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列
- 包裝：
散裝
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-78-6 金屬罐
- 供應商器件封裝：
TO-78-6
- 描述：
TRANSISTOR DUAL TO78
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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