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2N6579分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N6579
廠商型號

2N6579

參數(shù)屬性

2N6579 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

封裝外殼

TO-204AA,TO-3

文件大小

219.07 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-3 22:30:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N6579

  • 別名:

    2N6579三極管、2N6579晶體管、2N6579晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    450V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    >25MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BUW24,BUW25,BUW26,BUW34,BUW35,BUW36,BUX17C,2SC3046,2N6251,3DK309B,

  • 最大耗散功率:

    125W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    450

  • htest:

    25000100

  • atest:

    10

  • wtest:

    125

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6579

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 500μA, 3mA

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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