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2N660分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N660
廠商型號

2N660

參數屬性

2N660 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 140V 16A TO204

功能描述

GERMANIUM PNPSMALL SIGNAL TRANSISTORS

封裝外殼

TO-204AA,TO-3

文件大小

83.55 Kbytes

頁面數量

1

生產廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導體

中文名稱

新澤西半導體產品股份有限公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-3 19:55:00

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晶體管資料

  • 型號:

    2N660

  • 別名:

    2N660三極管、2N660晶體管、2N660晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_開關管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    25V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數:

    3

  • 可代換的型號:

    AC128,AC153,AC188,AC193,2N1190,2SB405,3AK61,

  • 最大耗散功率:

    0.2W

  • 放大倍數:

  • 圖片代號:

    D-9

  • vtest:

    25

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.2

2N660規(guī)格書詳情

GERMANIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS

產品屬性

  • 產品編號:

    2N6609

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    4V @ 3.2A,16A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 8A,4V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS PNP 140V 16A TO204

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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