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2N6649中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N6649
廠商型號

2N6649
參數(shù)屬性

2N6649 包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個；產(chǎn)品描述：PNP TRANSISTOR
功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
文件大小

210.74 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-11-16 10:18:00

晶體管資料

  • 型號：

    2N6649

  • 別名：

    2N6649三極管、2N6649晶體管、2N6649晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    10A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    BDV64,BDX84A,BDX86A,MJ2500,

  • 最大耗散功率：

    100W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    10

  • wtest：

    100

2N6649規(guī)格書詳情

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2N6649

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 描述：

    PNP TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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