2N6650中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
廠商型號(hào) |
2N6650 |
參數(shù)屬性 | 2N6650 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè);產(chǎn)品描述:PNP TRANSISTOR |
功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
文件大小 |
210.74 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-11-16 9:14:00 |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
2N6650三極管、2N6650晶體管、2N6650晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
80V
- 最大電流允許值:
10A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
2
- 可代換的型號(hào):
BDV64A,BDX84B,BDX86B,MJ2501,
- 最大耗散功率:
100W
- 放大倍數(shù):
β>1000
- 圖片代號(hào):
E-44
- vtest:
80
- htest:
999900
- atest:
10
- wtest:
100
2N6650規(guī)格書詳情
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
2N6650
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
卷帶(TR)
- 描述:
PNP TRANSISTOR
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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