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2N6661中文資料TT電子公司數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N6661
廠商型號(hào)

2N6661

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件大小

83.04 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 TT Electronics.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TTELECTT電子公司

中文名稱

梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 12:00:00

2N6661規(guī)格書詳情

2N6661

? VDSS = 90V , ID = 0.9A, RDS(ON) = 4.0?

? Fast Switching

? Low Threshold Voltage (Logic Level)

? Low CISS

? Integral Source-Drain Body Diode

? Hermetic Metal TO39 Package

? High Reliability Screening Options Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2N6661

  • 功能描述:

    MOSFET 90V 4Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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