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2N6689

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/537

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N6689

Devices

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

2N6689

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接線柱 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2N6689

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    特殊封裝

  • 極限工作電壓:

    450V

  • 最大電流允許值:

    15A

  • 最大工作頻率:

    >15MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    3DK309B,

  • 最大耗散功率:

    175W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    F-28

  • vtest:

    450

  • htest:

    15000100

  • atest:

    15

  • wtest:

    175

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6689

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/537

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    5V @ 5A,15A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 1A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C

  • 安裝類型:

    接線柱安裝

  • 封裝/外殼:

    TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接線柱

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-61

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2N6689供應(yīng)商 更新時間2025-1-11 13:01:00