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2N6724	文件：27.72 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS FEATURES 50VoltVCEO Gainof15katIC=0.5Amp *Ptot=1Watt	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
2N6724	文件：44.11 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR NPNSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTOR TO-237CASE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2N6725	文件：27.72 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS FEATURES 50VoltVCEO Gainof15katIC=0.5Amp *Ptot=1Watt	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
2N6725	文件：93.63 Kbytes Page：1 Pages	TO-237 NPNSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTOR TO-237CASE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2N6725	文件：44.11 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR NPNSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTOR TO-237CASE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2N6726	文件：50.31 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES 40VoltVCEO Gainof50atIC=1Amp *Ptot=1Watt	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
2N6726	文件：63.49 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6714,2N6726seriestypesarecomplementarySiliconPlasticPowerTransistorsdesignedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
2N6726	文件：193.44 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIALTRANSISTOR PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR GeneralPurposeMediumPowerAmplifier TO-237PlasticPackage	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
2N6726	文件：49.83 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS FEATURES 40VoltVCEO Gainof50atIC=1Amp *Ptot=1Watt	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N6726	文件：48.05 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORTO-237	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2N67267	文件：49.83 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS FEATURES 40VoltVCEO Gainof50atIC=1Amp *Ptot=1Watt	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N6727	文件：63.49 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6714,2N6726seriestypesarecomplementarySiliconPlasticPowerTransistorsdesignedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
2N6727	文件：66.46 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N6727	文件：83.23 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ?GeneralPurposeSwitchingApplication	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N6727	文件：50.31 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES 40VoltVCEO Gainof50atIC=1Amp *Ptot=1Watt	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
2N6727	文件：193.66 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR GeneralPurposeMediumPowerAmplifier	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
2N6727	文件：439.49 Kbytes Page：1 Pages	Amplifiers & Switches Amplifiers&Switches Bipolar:GeneralPurpose	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI
2N6727	文件：132.48 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
2N6727	文件：83.75 Kbytes Page：1 Pages	SI PNP POWER BJT COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORTO-237	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2N6727	文件：49.83 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS FEATURES 40VoltVCEO Gainof50atIC=1Amp *Ptot=1Watt	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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晶體管資料

型號：
2N6724
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+Darl
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_TR_輸出極（E）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
50V
最大電流允許值：
2A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BD411,BD412,2SD1222,2SD1759,
最大耗散功率：
1W
放大倍數(shù)：
β>15000
圖片代號：
B-21
vtest：
50
htest：
999900
atest：
2
wtest：
1

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
2N6724
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
散裝
晶體管類型：
NPN - 達(dá)林頓
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 2mA，1A
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
4000 @ 1A，5V
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-237AA
供應(yīng)商器件封裝：
TO-237
描述：
TRANS NPN DARL 40V 1A TO237

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	2N6724	NS	24+	TO92	5000	原廠授權(quán)代理價(jià)格絕對優(yōu)勢	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2N6724	GE	24+		5		詢價(jià)
上海金慶電子技術(shù)有限公司	2N6724	SYNERTEK	新		953	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	2N6724	NSC	1822+	TO-92	6852	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!	詢價(jià)
深圳市錦喆鴻電子有限公司	2N6724	NS	21+	TO92	12588	原裝現(xiàn)貨,量大可定	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	2N6724	NS/國半	22+	TO92	44926	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	2N6724	NSC	24+	TO-92	65200	一級代理/放心采購	詢價(jià)
深圳市仟禧電子有限公司	2N6724	NS	22+	TO92	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	2N6724	CENTRAL	23+	原廠原包	19960	只做進(jìn)口原裝終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	2N6724	NS	21+	TO92	1450	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)

更多2N672供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 15:08:00

晶體管資料

產(chǎn)品屬性

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