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2N7000中文資料微芯科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N7000
廠商型號(hào)

2N7000
功能描述

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
文件大小

762.28 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 Microchip Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microchip【微芯科技】

中文名稱

微芯科技股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-16 23:00:00
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2N7000規(guī)格書詳情

General Description

The Supertex 2N7000 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors, and the high input impedance and positive temperature coeffcient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.

Features

? Free from secondary breakdown

? Low power drive requirement

? Ease of paralleling

? Low CISS and fast switching speeds

? Excellent thermal stability

? Integral source-drain diode

? High input impedance and high gain

Applications

? Motor controls

? Converters

? Amplifers

? Switches

? Power supply circuits

? Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps,

memories, displays, bipolar transistors, etc.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    2N7000

  • 功能描述：

    MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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