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2N7002D3

N-Channel Enhancement MOSFET

Features ?VDS=60V,ID=0.32A ?RDS(ON)=1.6Ω@VGS=10V(Typ.) ?RDS(ON)=2.0Ω@VGS=4.5V(Typ.) ?HighPowerandcurrenthandingcapability ?Leadfreeproductisacquired ?SurfaceMountPackage MainApplications ?BatteryProtection ?LoadSwitch ?PowerManagement

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

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