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2PB1219

PNPgeneralpurposetransistor

DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323;SC70plasticpackage. NPNcomplement:2PD1820A. FEATURES ?Highcurrent(max.500mA) ?Lowvoltage(max.50V) ?Lowcollector-emittersaturationvoltage(max.600mV). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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PNPgeneralpurposetransistor

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PNPGeneralPurposeTransistor

Features ●Highcurrent(max.500mA) ●Lowvoltage(max.50V) ●Lowcollector-emittersaturationvoltage(max.600mV).

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

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PNPgeneralpurposetransistor

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恩智浦恩智浦半導體公司

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PNPgeneralpurposetransistor

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NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

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PNPgeneralpurposetransistor

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Features ●Highcurrent(max.500mA) ●Lowvoltage(max.50V) ●Lowcollector-emittersaturationvoltage(max.600mV).

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晶體管資料

  • 型號：

    2PB1219S

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    射頻/高頻放大 （HF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    25V

  • 最大電流允許值：

    0.5A

  • 最大工作頻率：

    140MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    0.2W

  • 放大倍數(shù)：

    β=170-340

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    25

  • htest：

    140000000

  • atest：

    0.5

  • wtest：

    0.2

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