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2PD601ASW-Q

50V,100mANPNgeneralpurposetransistor

Featuresandbenefits ?General-purposetransistor ?SmallSMDplasticpackage ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

2PD601AW

SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES HighCollectorCurrent LowColletor-EmitterSaturationVoltage APPLICATIONS GeneralPurposeSwitchingandAmplification

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2PD601AW

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2PD601AW

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2PD601AW

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●CollectorCurrent.(IC=100mA） ●ExcellentHFELinearity. ●Powerdissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2PD601AW

NPNGeneralPurposeTransistor

NPNGeneralPurposeTransistor Features ●Highcollectorcurrent(max.100mA) ●Lowcollector-emittersaturationvoltage(max.500mV).

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2PD601AW

NPNgeneralpurposetransistor

DESCRIPTION NPNgeneralpurposetransistors(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?AvailableinSOT323(SC-70)andSOT346(SC-59)packages ?AvailableinthreedifferentDCcurrentgainversions(Q,R,S). APPLICATIONS ?Generalpurpose

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

2PD601AW

SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCollectorCurrent ●LowColletor-EmitterSaturationVoltage APPLICATIONS ●GeneralPurposeSwitchingandAmplification

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2PD601BRL

50V,200mANPNgeneral-purposetransistors

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

2PD601BRL

50V,200mANPNgeneral-purposetransistors

Featuresandbenefits *CollectorcurrentIC≤200mA *Twocurrentgainselections *AEC-Q101qualified *SmallSMDplasticpackage

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2PD601ASW T/R

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEXPERIA
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SOT-323-3
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更多2PD601ASW T/R供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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