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2SA1015T-L	文件：923.43 Kbytes Page：7 Pages	Marking:ST2SA1015LB;Package:TO-92;Low Frequency Amplifier PNP Epitaxial Silicon Transistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
2SA1015	文件：6.49885 Mbytes Page：126 Pages	COLOURTELEVISIONC9PJChassis	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SA1015	文件：2.69679 Mbytes Page：54 Pages	COLORTELEVISION	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SA1015	文件：2.69679 Mbytes Page：54 Pages	COLORTELEVISIONN1PSChassis	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SA1015	文件：923.43 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
2SA1015	文件：1.11619 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ComplementaryTo2SC1815. ●ExcellentHFELinearity. ●Highvoltageandhighcurrent. ●Lownoise. ●Collector-EmittervoltageBVCEO=-50V. APPLICATIONS ●Lowfrequency,lownoiseamplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
2SA1015	文件：290.79 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Powerdissipation	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SA1015	文件：550.62 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
2SA1015	文件：84.74 Kbytes Page：1 Pages	LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2SA1015	文件：124.46 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPTransistor DESCRIPTION ?HighVoltageandHighCurrent Vceo=-50V(Min.),Ic=-150mA(Max) ?ExcellenthFELinearity ?LowNoise ?ComplementtoType2SC1815 APPLICATIONS ?AudiofrequencygeneralpurposeamplifierApplications ?Driverstageamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SA1015	文件：2.0101 Mbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. ThetransistorissubdividedintothreegroupsO,Y andG,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypetheNPNtransistor C1815isrecommended.	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
2SA1015	文件：1.22139 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Highvoltageandhighcurrent,excellenthFElinearity, lownoise,complementarypairwith2SC1815. Applications Audiofrequencygeneralpurpose, driverstageamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SA1015	文件：154.23 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintothreegroups,O,Y andG,L,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypetheNPNtransistor 2SC1815isrecommended.)	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2SA1015	文件：196.1 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTprocess) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V(min), IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(2)=80(typ.)atVCE=?6V,IC=?150mA	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SA1015	文件：167.78 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
2SA1015	文件：156 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALTYPE(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIER,DRIVERSTAGEAMPLIFIER) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications ?Highvoltageandhighcurrent:VCEO=?50V(min), IC=?150mA(max) ?ExcellenthFElinearity:hFE(2)=80(typ.)atVCE=?6V,IC=?150mA	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SA1015	文件：123.73 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltageandhighcurrent FEATURES Highvoltageandhighcurrent ExcellenthFELinearity Lowniose,ComplementarytoC1815	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半導(dǎo)體美科半導(dǎo)體股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
2SA1015	文件：816.39 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Powerdissipation	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SA1015	文件：452.4 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors Features ●Highvoltageandhighcurrent VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) ●Lowniose:NF=1dB(Typ.)atf=1KHz	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
2SA1015	文件：205.91 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ComplementaryTo2SC1815. ●ExcellentHFELinearity. ●Highvoltageandhighcurrent. ●Lownoise. ●Collector-EmittervoltageBVCEO=-50V. APPLICATIONS ●Lowfrequency,lownoiseamplifier.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多2SA1015T-L供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-14 9:00:00

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